東京大学など n型有機半導体を開発、最小クラスの接触抵抗

印刷法ではPhC2-BQQDIが最高の半導体性能を示し、電子移動度の計算予測と一致した。 一方、真空蒸着法ではPhC3-BQQDIがより優れた電子移動度関連キーワードはありません