EUV用フォトマスク上で2nm以降の微細パターン解像に成功、DNP - EE Times Japan

大日本印刷（以下、DNP）は2024年12月12日、EUV（極端紫外線）リソグラフィに対応した、2nmプロセス世代以降のロジック半導体向けフォトマスクに要求される微細関連キーワードはありません